PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

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第17回 PDEAパワーデバイスセミナー

次世代アプリへの展開を睨むSiC・GaNパワー半導体

日時 2018年12月3日(月) 13:00~18:30
会場 品川フロントビル会議室
主催 パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
協賛 (株)アドバンテスト
後援
(予定)
東京大学VDEC
ナノテスティング学会
日本電子デバイス産業協会(NEDIA)
特別協力 (株)産業タイムズ社
参加費 10,000円(税込)/1名
(テキスト代、名刺交換会費含む)
定員 80名 
※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。
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企画趣旨

SiCやGaNを用いたパワー半導体は、アプリケーションの裾野のさらなる拡大が期待されています。 SiCは高速鉄道、再生可能エネルギーのPCSに次いで、自動車への本格展開が迫っており、 EV向けに特性を大きく改善したデバイスも発表されています。また、ロボットなど、急成長している 産業においてもGaNやSiCは注目度が高まっています。今回のセミナーは、最新市場動向、デバイスや モジュールの最新開発動向に加え、ユーザーサイドから見た期待度や将来性なども解説していきます。 最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

講演 次世代アプリを睨むSiC・GaNパワーデバイスの将来市場動向13:00-14:00
講師 グロスバーグ合同会社 代表 大山 聡 氏
講演 広範な応用展開が期待される、SiCモジュールの技術14:00-15:00
講師 富士電機(株) 電子デバイス事業本部 開発統括部
パッケージ開発部 先行開発課 池田 良成 氏
講演 パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15:00-15:10
講師 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

休憩 (15:10-15:25)

講演 サーボシステムにおけるパワー半導体の使われ方と次世代パワー半導体への期待15:25-16:25
講師 三菱電機(株) 開発本部 先端技術総合研究所
パワーエレクトロニクス技術部門 主管技師長 大井 健史 氏
講演 従来比40%の電界強度低減と50%の省エネを実現するEV向けSiCパワー半導体16:25-17:25
講師 (株)日立製作所 研究開発グループ エレクトロニクスイノベーションセンタ
エネルギーエレクトロニクス研究部 部長 島 明生 氏
名刺交換会 17:25-18:30
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