PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

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第20回 PDEAパワーデバイスセミナー

GaNパワー台頭

日時 2019年12月6日(金) 13:00~18:00
会場 品川フロントビル貸会議室(B1F)
主催 パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
協賛 (株)アドバンテスト
後援 システム・インテグレーション(株)
東京大学大学院工学系研究科 システムデザイン研究センター
一般社団法人日本電子デバイス産業協会(NEDIA)
ナノテスティング学会
特別協力 (株)産業タイムズ社
参加費 11,000円(税込)/1名
(講演資料含む)
定員 80名
※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。
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企画趣旨

車載をはじめとするパワーデバイスの最有力材として、GaNの台頭が濃厚になってきました。これまで開発の先頭を走っていたのはSiCですが、コスト抑制も含め今一歩、ブレークスルーが果たせず、最後の一線で足踏み状態が続いていました。そんななか、最有力材として躍り出てきたのがGaNです。新デバイス構造のチャレンジに加え、低抵抗化による大電流対応、さらには高速化に伴うスイッチングロスの低減とともに小型化の方向性も示唆しました。
GaNパワーデバイスの新ビジネスが始まろうとしています。そこでPDEAでは今回、新セミナー「GaNパワー台頭」を企画しました。パワーデバイスにおけるGaNの立ち位置を皮切りに、エピタキシャル成長技術、デバイス構造、そして応用領域として小型電源への展開を探っていきます。
新たなビジネスチャンスを獲得するための重要基本情報として、ぜひとも同セミナーへのご参加をお勧めします。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

講演 パワーデバイスにおけるGaNの位置付け13:00-13:50
講師 トランスフォーム・ジャパン(株) 品質保証部 部長
 庄野 健 氏
講演 GaNを用いた小型高効率Power SoCへの展開13:50-14:40
講師 九州工業大学 大学院 工学研究院 電気電子工学研究系 教授
 松本 聡 氏
講演 パワーデバイス・イネーブリング協会の取り組み14:40-14:50
  一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会
 江越 広弥

休憩 (14:50-15:00)

講演 HVPE法による高品質GaNバルクおよびエピ成長技術15:00-15:50
講師 (株)サイオクス 事業開拓部 GaNテンプレート事業化PJ プロジェクトリーダー 
 藤倉 序章 氏
講演 GaNパワーデバイスの新トランジスタ構造15:50-16:50
講師 名古屋大学未来材料・システム研究所 トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門 特任教授
 加地 徹 氏
講師を囲む名刺交換会 17:00-18:00
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