GaNパワーデバイス ~実用化を視野に開発ゴーサイン~
日時 | 2020年4月17日(金) 13:00~18:30(名刺交換会含む) |
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会場 | 大阪クリスタルタワー会議室 →交通アクセス |
主催 | パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA) |
協賛 | (株)アドバンテスト |
後援(予定) | システム・インテグレーション(株) 東京大学大学院工学系研究科 システムデザイン研究センター 一般社団法人日本電子デバイス産業協会(NEDIA) ナノテスティング学会 |
協力 | (株)産業タイムズ社 |
参加費 | 11,000円(税込)/1名 (講演資料含む) |
定員 | 70名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。 |
企画趣旨
照明用LEDの商品化に大きく貢献してきたGaN。今度は車載をはじめとする次世代パワーデバイスとして、本格的な開発が動き出しています。ワイドバンドギャップ半導体としてはSiCが先行していますが、大電流・高電圧対応や高周波特性、さらには高速動作と電力効率の向上など、SiCを大きく凌駕する材料特性がGaNに見出されたからです。デバイス構造も横型から縦型へ、車載のみならず、様々なアプリケーション用途が浮上してきています。
そこでPDEAではこの新しいパワーデバイスに着目。最新セミナー「GaNパワーデバイス ~実用化を視野に開発ゴーサイン~」を企画しました。プログラム構成はデバイスの縦型構造を視野に、結晶成長や製造プロセス、さらには車載を含む様々な新市場を探っていきます。
また新しいビジネスが生まれようとしています。ぜひ同セミナーにご参加いただき、貴社の新戦略構築のための重要情報としてお役立てください。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
講演 | GaNバルク&エピ結晶成長技術(仮)13:00-13:50 |
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講師 | (株)サイオクス 事業開拓部 GaNテンプレート事業化PJ プロジェクトリーダー 藤倉 序章 氏 |
講演 | GaN精密加工技術(仮)13:50-14:40 |
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講師 | 法政大学 太田 博 氏 |
講演 | パワーデバイス・イネーブリング協会の取り組み14:40-14:50 |
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一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会 |
休憩 (14:50-15:10)
講演 | GaN縦型パワーデバイス(仮)15:10-16:00 |
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講師 | 豊田合成(株) 岡 徹 氏 |
講演 | GaNパワーデバイスの応用(仮)16:00-16:50 |
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講師 | 名古屋大学 山本 真義 氏 |
講師を囲む名刺交換会 | 17:00-18:30 |
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